• <menu id="qwosm"><strong id="qwosm"></strong></menu>
  • <menu id="qwosm"></menu>
    <menu id="qwosm"><strong id="qwosm"></strong></menu>
  • <nav id="qwosm"></nav>
  • <nav id="qwosm"></nav><nav id="qwosm"></nav><dd id="qwosm"></dd><nav id="qwosm"><strong id="qwosm"></strong></nav>
  • 砷化鎵晶片 GaAs Wafer

    我們研發并生產的2-6英半導體級以及半絕緣級高純度砷化鎵晶體和晶片被廣泛應用于半導體集成電路以及LED通用照明等領域。

    Our 2’’ to 6’’ semi-conducting & semi-insulating GaAs crystal & wafer are wildly used in semiconductor integrated circuit application & LED general lighting application.


    半導體砷化鎵規格 Specifications of semi-conducting GaAs wafer

    生長方法
      Growth Method 

       VGF 

      摻雜類型
      Dopant 

      P型:鋅 
      p-type: Zn 

      N型:硅
      n-type: Si

      晶片形狀
      Wafer Shape 

      圓形(尺寸2、3、4、6英寸)
      Round (DIA: 2", 3", 4", 6") 

      晶向 
      Surface Orientation * 

      (100)±0.5° 

      * Other Orientations maybe available upon request 
        其他晶向要求可根據客戶需求加工 

    Dopant
    摻雜

    硅 (N 型)
    Si (n-type)

    鋅 (P 型)
    Zn (p-type)

    載流子濃度
    Carrier Concentration (cm-3)

    ( 0.8-4) × 1018

    ( 0.5-5) × 1019

    遷移率 
      Mobility (cm2/V.S.)

    ( 1-2.5) × 103

    50-120

      位錯 
      Etch Pitch Density (cm2) 

     100-5000

    3,000-5,000

    直徑
    Wafer Diameter (mm)

    50.8±0.3

    76.2±0.3

    100±0.3

      厚度 
      Thickness (μm) 

    350±25

    625±25

    625±25

      TTV [P/P] (μm) 

    ≤ 4

    ≤ 4

    ≤ 4

      TTV [P/E] (μm) 

    ≤ 10

    ≤ 10

    ≤ 10

      WARP (μm) 

    ≤ 10

    ≤ 10

    ≤ 10

    OF (mm)

    17±1

    22±1

    32.5±1

    OF / IF (mm)

    7±1

    12±1

    18±1

    Polish*

    E/E,
    P/E,
    P/P

    E/E,
    P/E,
    P/P

    E/E,
    P/E,
    P/P

    *E=Etched, P=Polished(*E=腐蝕, P=拋光)

      **If needed by customer 
          根據客戶需要 


    半絕緣砷化鎵 Specifications of semi-insulating GaAs wafer

    生長方法

      Growth Method 

       VGF 

      摻雜類型

      Dopant 

      SI 型:

    SI Type:  Carbon 

      晶片形狀

      Wafer Shape 

      圓形(尺寸2、3、4、6英寸)

      Round (DIA: 2", 3", 4"6") 

      晶向 

      Surface Orientation * 

      (100)±0.5° 

      * Other Orientations maybe available upon request 

        其他晶向要求可根據客戶需求加工 

      電阻率 

      Resistivity  (Ω.cm) 

    ≥ 1 × 107

    ≥ 1 × 108

    遷移率

    Mobility (cm2/V.S)

    ≥ 5,000

    ≥ 4,000

      位錯 

      Etch Pitch Density (cm2

      1,500-5,000

    1,500-5,000

    晶片直徑

    Wafer Diameter (mm)

    50.8±0.3

    76.2±0.3

    100±0.3

    150±0.3

      厚度 

      Thickness (μm) 

    350±25 

    625±25

    625±25

    675±25 

      TTV [P/P] (μm) 

    ≤ 4

    ≤ 4

    ≤ 4

    ≤ 4

      TTV [P/E] (μm) 

    ≤ 10

    ≤ 10

    ≤ 10

    ≤ 10

      WARP (μm) 

    ≤ 10

    ≤ 10

    ≤ 10

    ≤ 15

    OF (mm)

    17±1

    22±1

    32.5±1

    NOTCH

    OF / IF (mm)

    7±1

    12±1

    18±1

    N/A

    Polish*

    E/E,

    P/E,

    P/P

    E/E,

    P/E,

    P/P

    E/E,

    P/E,

    P/P

    E/E,

    P/E,

    P/P

    *E=Etched, P=Polished (*E=腐蝕, P=拋光)

      **If needed by customer 

          根據客戶需要 


    III-V族襯底產品營銷中心:
    聯系電話:13398718466
    E-mail:alexchen@sino-ge.com
    傳真:+86 871 65902819
    COPYRIGHT © YUNNAN GERMANIUM ALL RIGHT RESERVED 滇ICP備14000149號-1

    滇公網安備 53019002000263號

    技術支持:奧遠科技
    2021久久精品国产99国产精品|妻丰满熟妇av无码久久洗澡|欧美在线一级va免费观看|L欧美日韩在线无码一区
  • <menu id="qwosm"><strong id="qwosm"></strong></menu>
  • <menu id="qwosm"></menu>
    <menu id="qwosm"><strong id="qwosm"></strong></menu>
  • <nav id="qwosm"></nav>
  • <nav id="qwosm"></nav><nav id="qwosm"></nav><dd id="qwosm"></dd><nav id="qwosm"><strong id="qwosm"></strong></nav>