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  • 太陽能鍺晶片

    公司能夠研發擁有自主知識產權的4英寸和6英寸VGF法單晶生長爐,建成了4英寸和6英寸VGF法“零位錯”太陽能電池用鍺單晶片生產線。

    We invented 4’’ & 6’’ VGF monocrystal furnace with independent intellectual property right, and set up a production line of 4’’ & 6’’ zero EPD VGF germanium wafer producing line.


    鍺晶片技術規格

       生長方法

      Growth Method 

       VGF 

      摻雜類型

      Dopant 

      P型:鎵 

      p-type: Ga 

      N型:砷

      n-type: As

      晶片形狀

      Wafer Shape 

      圓形(尺寸2、3、4、6英寸)

      Round (DIA: 2’’, 3’’, 4’’6") 

      晶向 

      Surface Orientation * 

      (100)±0.5° 

      * Other Orientations maybe available upon request 

        其他晶向要求可根據客戶需求加工 

      電阻率 

      Resistivity  (Ω.cm) 

      根據客戶要求

      As Required

      位錯 

      Etch Pitch Density (cm2) 

      ≤ 300 

      厚度 

      Thickness (μm) 

      175±25(或根據客戶要求)

      175±25 (or as required) 

      TTV [P/P] (μm) 

      ≤ 10 

      WARP (μm) 

      ≤ 15 

      IF** (mm) 

      32.5±1 

      **If needed by customer 

          根據客戶需要 

      主面拋光

      Surface 

       E/E, P/E, P/G 


    鍺襯底產品營銷中心:
    聯系電話:13398718466
    E-mail:alexchen@sino-ge.com
    傳真:+86 871 65902819
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    技術支持:奧遠科技
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